IXTT12N150

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-268-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

106 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

890 W

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

5.1 mm

长度：

14 mm

系列：

IXTT12N150

类型：

高压功率MOSFET

宽度：

16.05 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

8 S

秋季时间：

14 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

16 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

53 ns

典型的开启延迟时间：

26 ns

单位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTT12N, IXTT12, IXTT1, IXTT, IXT