SSM3J112TU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UFM-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

1.1 A

Rds On - 漏源电阻：

310 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.8 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

SSM3J112TU

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

0.5 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

8.5 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

单位重量：

0.000233 oz

Tags

SSM3J112, SSM3J11, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM