APT75GP120JDQ3

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

产品：

IGBT 硅模块

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1.2 kV

集电极-发射极饱和电压：

3.3 V

25 C 时的连续集电极电流：

128 A

栅极-发射极漏电流：

100 nA

Pd - 功耗：

543 W

包装/案例：

SOT-227-4

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

管子

高度：

9.6 mm

长度：

38.2 mm

工作温度范围：

- 55 C to + 150 C

宽度：

25.4 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

1

子类别：

IGBT

商品名：

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

单位重量：

1.058219 oz

Tags

APT75GP120J, APT75GP, APT75G, APT75, APT7, APT