KSB1151YSTSSTU

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-126-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 60 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 60 V

发射极基极电压 VEBO：

- 7 V

集电极-发射极饱和电压：

- 0.14 V

最大直流集电极电流：

5 A

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

KSB1151

直流电流增益 hFE 最大值：

400

高度：

1.5 mm

长度：

8 mm

打包：

管子

宽度：

3.25 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

Pd - 功耗：

1300 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

60

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

KSB1151YSTSSTU_NL

单位重量：

0.026738 oz

Tags

KSB1151YST, KSB1151YS, KSB1151Y, KSB115, KSB11, KSB1, KSB