DMN2004K-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

630 mA

Rds On - 漏源电阻：

550 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

0.9 nC

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

DMN2004

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.3 mm

品牌：

二极管公司

秋季时间：

37.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.4 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

59.4 ns

典型的开启延迟时间：

5.7 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

DMN2004K-7, DMN2004K, DMN2004, DMN200, DMN20, DMN2, DMN