RFD10P03LSM

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

200 mOhms

Vgs - 栅源电压：

10 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

65 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

高度：

2.39 mm

长度：

6.73 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

20 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

50 ns

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns

典型的开启延迟时间：

15 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

RFD10P03LS, RFD10P03L, RFD10P03, RFD10P0, RFD10P, RFD10, RFD1, RFD