PSMN2R0-30YLE,115

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

LFPAK56-5

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

100 A

Rds On - 漏源电阻：

1.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.7 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

87 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

272 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

Nexperia

秋季时间：

29.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

55.7 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

41.5 ns

典型的开启延迟时间：

32.7 ns

单位重量：

0.003019 oz

Tags

PSMN2R0-30Y, PSMN2R0-3, PSMN2R0, PSMN2, PSMN, PSM