2SJ661-DL-1E

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

38 A

Rds On - 漏源电阻：

29.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.6 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

65 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

2SJ661

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

195 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

285 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

295 ns

典型的开启延迟时间：

33 ns

单位重量：

0.077603 oz

Tags

2SJ661-D, 2SJ661, 2SJ66, 2SJ6, 2SJ