APT100GT120JRDQ4

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

产品：

IGBT 碳化硅模块

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1.2 kV

集电极-发射极饱和电压：

3.2 V

25 C 时的连续集电极电流：

123 A

栅极-发射极漏电流：

600 nA

Pd - 功耗：

570 W

包装/案例：

ISOTOP-4

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

管子

品牌：

微芯片/Microsemi

安装方式：

贴片/贴片

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

1

子类别：

IGBT

Tags

APT100GT1, APT100GT, APT100G, APT100, APT10, APT1, APT