NIF9N05CLT3

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

52 V

Id - 连续漏极电流：

2.6 A

Rds On - 漏源电阻：

107 mOhms

Vgs - 栅源电压：

15 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.69 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.57 mm

长度：

6.5 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

3.5 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

3.8 S

秋季时间：

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

780 ns, 906 ns, 1540 ns

典型的开启延迟时间：

275 ns, 242 ns, 107 ns

单位重量：

0.008818 oz

Tags

NIF9N05CLT, NIF9N05C, NIF9, NIF