HN1B04FU-GR,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

晶体管极性：

NPN, PNP

配置：

双重的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

集电极-基极电压 VCBO：

60 V, - 50 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

100 mV

最大直流集电极电流：

150 mA

增益带宽积 fT：

150 MHz, 120 MHz

最高工作温度：

+ 125 C

系列：

HN1B04

直流电流增益 hFE 最大值：

400

打包：

卷轴

品牌：

东芝

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

120

Pd - 功耗：

200 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000265 oz

Tags

HN1B04FU-GR,L, HN1B04FU-G, HN1B04FU, HN1B04, HN1B0, HN1B, HN1