MUN5235DW1T1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - 预偏置

RoHS：

Y

配置：

双重的

晶体管极性：

NPN

典型输入电阻：

2.2 kOhms

典型电阻比：

0.047

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

80

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

连续集电极电流：

0.1 A

峰值直流集电极电流：

100 mA

Pd - 功耗：

187 mW

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

MUN5235DW1

打包：

卷轴

直流电流增益 hFE 最大值：

80 at 5 mA at 10 V

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

宽度：

1.25 mm

品牌：

安森美半导体

产品类别：

BJT - 双极晶体管 - 预偏置

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000265 oz

Tags

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