RUF015N02TL

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323T-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.5 A

Rds On - 漏源电阻：

180 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

1.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

0.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.77 mm

长度：

2 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

RUF015N02

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

宽度：

1.7 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

20 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns

第 # 部分别名：

RUF015N02

单位重量：

0.000282 oz

Tags

RUF015N02T, RUF01, RUF0, RUF