SI3590DV-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

3 A, 2 A

Rds On - 漏源电阻：

77 mOhms, 170 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

4.5 nC, 6 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.15 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

系列：

SI3

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

10 S, 5 S

秋季时间：

7 ns, 20 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns, 15 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns, 20 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns, 5 ns

第 # 部分别名：

SI3590DV-GE3

单位重量：

0.000705 oz

Tags

SI3590DV-T, SI3590D, SI359, SI35, SI3