FDR8521L

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SSOT-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

2.9 A

Rds On - 漏源电阻：

54 mOhms

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.02 mm

长度：

4.06 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

2 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

3.3 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

750

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

FDR8521L_NL

单位重量：

0.001467 oz

Tags

FDR85, FDR8, FDR