SIRA01DP-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerPAK-SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

60 A

Rds On - 漏源电阻：

4.9 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.2 V

Vgs - 栅源电压：

16 V, - 20 V

Qg - 门电荷：

56 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

62.5 W

配置：

单身的

商品名：

TrenchFET、PowerPAK

打包：

卷轴

系列：

先生

品牌：

威世 / Siliconix

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

6 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

39 ns

典型的开启延迟时间：

15 ns

Tags

SIRA0, SIRA, SIR