DMN2005LP4K-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

X2-DFN1006-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

300 mA

Rds On - 漏源电阻：

650 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

530 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

-

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

400 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.35 mm

长度：

1 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

DMN2005

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

0.6 mm

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

40 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13.7 ns

典型的开启延迟时间：

4.06 ns

Tags

DMN2005L, DMN2005, DMN200, DMN20, DMN2, DMN