MW6S010NR1

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

E

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

125 mA

Vds - 漏源击穿电压：

68 V

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-270

打包：

卷轴

配置：

单身的

系列：

MW6S010N

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

频道模式：

增强

湿气敏感：

是的

Pd - 功耗：

61.4 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 0.5 V, 12 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.3 V

第 # 部分别名：

935319268528

单位重量：

0.018679 oz

Tags

MW6S010N, MW6S01, MW6S0, MW6S, MW6