IPB06N03LA G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

50 A

Rds On - 漏源电阻：

9.5 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

83 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

4.4 mm

长度：

10 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

9.25 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

58 S / 29 S

秋季时间：

4.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

30 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

IPB06N03LA, IPB06N03L, IPB06N, IPB06, IPB0, IPB