NTF6P02T3G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

70 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

2.5 V

Qg - 门电荷：

15 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

8.3 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.57 mm

长度：

6.5 mm

系列：

NTF6P02

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

3.5 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

12 S

秋季时间：

60 ns, 50 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns, 25 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns, 75 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns, 7 ns

单位重量：

0.008818 oz

Tags

NTF6P02T, NTF6P, NTF6, NTF