IRF7526D1PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Micro-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

400 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

7.5 nC

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

单身的

打包：

管子

高度：

1.11 mm

长度：

3 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

3 mm

品牌：

英飞凌/红外

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

80

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001551438

Tags

IRF7526, IRF752, IRF75, IRF7, IRF