IRFH8201TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

100 A

Rds On - 漏源电阻：

1.6 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.8 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

111 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

156 W

配置：

单身的

商品名：

强IRFet

打包：

卷轴

高度：

0.83 mm

长度：

6 mm

系列：

IRFH8

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

181 S

秋季时间：

22 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

54 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

31 ns

典型的开启延迟时间：

27 ns

第 # 部分别名：

SP001577876

Tags

IRFH8, IRFH, IRF