TK8A50DA(STA4,Q,M)

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

7.5 A

Rds On - 漏源电阻：

760 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.4 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

16 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

35 W

配置：

单身的

商品名：

DTMOSIV

高度：

15 mm

长度：

10 mm

产品：

MOSFET

系列：

TK8A50DA

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

N沟道硅MOSFET

宽度：

4.5 mm

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

1 S

秋季时间：

11 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

40 ns

单位重量：

0.059966 oz

Tags

TK8A50DA(S, TK8A50DA, TK8A50, TK8A5, TK8A, TK8