PHT6NQ10T,135

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

3 A

Rds On - 漏源电阻：

90 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

21 nC

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.7 mm

长度：

6.7 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.7 mm

品牌：

Nexperia

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

20 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

第 # 部分别名：

/T3 PHT6NQ10T

单位重量：

0.008818 oz

Tags

PHT6NQ, PHT6N, PHT6, PHT