NTMFD4902NFT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

18.2 A

Rds On - 漏源电阻：

8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

9.7 nC, 11.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3.45 W

配置：

双重的

打包：

卷轴

系列：

NTMFD4902NF

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

28 S, 35 S

秋季时间：

4 ns, 4.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns, 15.2 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns, 17.7 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns, 10.5 ns

单位重量：

0.001319 oz

Tags

NTMFD4902, NTMFD490, NTMFD49, NTMFD4, NTMFD, NTMF, NTM