APTM50H14FT3G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

分立半导体模块

RoHS：

Y

产品：

功率 MOSFET 模块

Vgs - 栅源电压：

30 V

安装方式：

螺丝安装

包装/案例：

SP-32

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

管子

配置：

单身的

高度：

11.5 mm

长度：

73.4 mm

宽度：

40.8 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

秋季时间：

41 ns

Id - 连续漏极电流：

26 A

Pd - 功耗：

208 W

产品类别：

分立半导体模块

Rds On - 漏源电阻：

140 mOhms

上升时间：

17 ns

出厂包装数量：

1

子类别：

分立半导体模块

商品名：

POWER MOS 7

典型关断延迟时间：

50 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Tags

APTM50H1, APTM50H, APTM5, APTM, APT