MMIX1F360N15T2

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SMPD-24

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

235 A

Rds On - 漏源电阻：

4.4 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

715 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

680 W

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

高度：

5.7 mm

长度：

25.25 mm

系列：

MMIX1F360N15

类型：

TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

宽度：

23.25 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

140 S

秋季时间：

265 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

170 ns

出厂包装数量：

20

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

115 ns

典型的开启延迟时间：

50 ns

Tags

MMIX1F, MMIX1, MMIX, MMI