FQD2N60CTM-WS

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

1.9 A

Rds On - 漏源电阻：

4.7 Ohms

Vgs - 栅源电压：

30 V

配置：

单身的

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

2.39 mm

长度：

6.73 mm

系列：

FQD2N60C

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

FQD2N60CTM_WS

单位重量：

0.009184 oz

Tags

FQD2N60CTM, FQD2N60CT, FQD2N60C, FQD2N60, FQD2N6, FQD2N, FQD2, FQD