APT75GN60LDQ3G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-264-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

600 V

集电极-发射极饱和电压：

1.45 V

最大栅极发射极电压：

30 V

25 C 时的连续集电极电流：

155 A

Pd - 功耗：

536 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

155 A

高度：

5.21 mm

长度：

26.49 mm

工作温度范围：

- 55 C to + 175 C

宽度：

20.5 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

连续集电极电流：

155 A

栅极-发射极漏电流：

600 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

IGBT

单位重量：

0.373904 oz

Tags

APT75GN6, APT75GN, APT75G, APT75, APT7, APT