SSM3K116TU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UFM-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

2.2 A

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

2 mm

系列：

SSM3K116

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.7 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

单位重量：

0.000233 oz

Tags

SSM3K116, SSM3K11, SSM3K1, SSM3K, SSM3, SSM