BLF8G20LS-400PVQ

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

Rds On - 漏源电阻：

55 mOhms

获得：

19 dB

最高工作温度：

+ 225 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-1242B

打包：

大部分

配置：

单身的

工作频率：

1805 MHz to 1995 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦半导体

正向跨导 - 最小值：

20.6 S

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

60

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

13 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.9 V

Tags

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