SIR170DP-T1-RE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

95 A

Rds On - 漏源电阻：

4 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 5.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

93 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

频道模式：

消耗

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

品牌：

威世 / Siliconix

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

43 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

Tags

SIR17, SIR1, SIR