IXTJ4N150

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.5 kV

Id - 连续漏极电流：

2.5 A

Rds On - 漏源电阻：

6 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

44.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

110 W

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

21.34 mm

长度：

6.13 mm

系列：

IXTJ4N150

类型：

高压功率MOSFET

宽度：

5.21 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

2.8 S

秋季时间：

22 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

23 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

42 ns

典型的开启延迟时间：

19 ns

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTJ, IXT