FDFMA2P029Z-F106

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

MicroFET-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

3.1 A

Rds On - 漏源电阻：

60 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

10 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.4 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

FDFMA2P029Z

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

- 11 S

秋季时间：

36 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

11 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

37 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns

第 # 部分别名：

FDFMA2P029Z_F106

Tags

FDFMA2P029Z, FDFMA2P0, FDFMA2P, FDFMA2, FDFMA, FDFM, FDF