MPQ3762

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-116

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

40 V

集电极-基极电压 VCBO：

40 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

0.55 V

增益带宽积 fT：

150 MHz

打包：

管子

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

500 mA

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

20 at 1000 mA

Pd - 功耗：

3 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

25

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

MPQ3762 TIN/LEAD

单位重量：

0.036509 oz

Tags

MPQ3762, MPQ376, MPQ37, MPQ3, MPQ