DMN65D8LFB-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

X1-DFN1006-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

400 mA

Rds On - 漏源电阻：

3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

-

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

430 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN65D

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

-

秋季时间：

6.29 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.15 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12.025 ns

典型的开启延迟时间：

3.27 ns

单位重量：

0.000035 oz

Tags

DMN65D8LF, DMN65D8, DMN65, DMN6, DMN