2N6432

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-18

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

200 V

集电极-基极电压 VCBO：

200 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

0.5 V

增益带宽积 fT：

50 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

打包：

大部分

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

100 mA

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

25 at 1 mA, 10 V

Pd - 功耗：

500 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

2000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N6432 PBFREE

Tags

2N643, 2N64, 2N6