SI1926DL-T1-E3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

370 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.4 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

0.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

510 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

1 mm

长度：

2.1 mm

系列：

SI1

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

159 mS

秋季时间：

14 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns

典型的开启延迟时间：

6.5 ns

第 # 部分别名：

SI1926DL-E3

单位重量：

0.000265 oz

Tags

SI1926, SI192, SI19, SI1