1N756ATR

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

齐纳二极管

RoHS：

E

Vz - 齐纳电压：

8.2 V

安装方式：

通孔

包装/案例：

DO-35-2

Pd - 功耗：

500 mW

电压容差：

5 %

齐纳电流：

45 mA

Zz - 齐纳阻抗：

8 Ohms

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

配置：

单身的

测试电流：

20 mA

打包：

卷轴

高度：

1.91 mm

长度：

4.56 mm

端接方式：

轴向

宽度：

1.91 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

Ir - 反向电流：

100 nA

产品类别：

齐纳二极管

出厂包装数量：

5000

子类别：

二极管和整流器

单位重量：

0.004833 oz

Tags

1N756AT, 1N756A, 1N756, 1N75, 1N7