FDMS8095AC

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Power-56-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

27 A, 2.2 A

Rds On - 漏源电阻：

58 mOhms, 2.171 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V, 25 V

Qg - 门电荷：

21 nC, 2.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

50 W, 12.5 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

0.8 mm

长度：

6 mm

系列：

FDMS8095AC

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

4 ns, 6.3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2.7 ns, 1.6 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

18 ns, 7.4 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns, 5.2 ns

单位重量：

0.008818 oz

Tags

FDMS80, FDMS8, FDMS, FDM