CZDM1003N TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

3 A

Rds On - 漏源电阻：

70 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

15 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.8 mm

长度：

6.7 mm

系列：

CZDM1003

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.7 mm

品牌：

中央半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

40 ns

第 # 部分别名：

CZDM1003N PBFREE TR

单位重量：

0.008818 oz

Tags

CZDM, CZD