DMN33D8LDW-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

250 mA

Rds On - 漏源电阻：

2.4 Ohms, 2.4 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

1.23 nC, 1.23 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN33

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

二极管公司

秋季时间：

13.6 ns, 13.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2.6 ns, 2.6 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

18.2 ns, 18.2 ns

典型的开启延迟时间：

2.9 ns, 2.9 ns

单位重量：

0.000265 oz

Tags

DMN33D, DMN33, DMN3, DMN