TK49N65W,S1F

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

49.2 A

Rds On - 漏源电阻：

55 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

160 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

400 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

20.95 mm

长度：

15.94 mm

系列：

TK49N65W

宽度：

5.02 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

70 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

单位重量：

1.340411 oz

Tags

TK49N, TK49, TK4