CSD83325LT

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

BGA-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

8 A

Rds On - 漏源电阻：

5.9 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

950 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

8.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.3 W

配置：

双重的

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

0.2 mm

长度：

2.2 mm

产品：

功率MOSFET

系列：

CSD83325L

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.15 mm

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

36 S

秋季时间：

589 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

353 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

711 ns

典型的开启延迟时间：

205 ns

单位重量：

0.000053 oz

Tags

CSD8, CSD