FDZ5047N

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

T

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

BGA-36

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

22 A

Rds On - 漏源电阻：

2.9 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 50 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.8 mm

长度：

5.5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

55 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

119 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

单位重量：

0.008042 oz

Tags

FDZ504, FDZ50, FDZ5, FDZ