Jan2N3637/TR

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-205AD-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

175 V

集电极-基极电压 VCBO：

175 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

0.3 V

最大直流集电极电流：

1 A

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值：

300 at - 50 mA, - 10 V

品牌：

微芯片/Microsemi

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

55 at 100 uA, 10 V

Pd - 功耗：

5 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

Tags

Jan2N3637, JAN2N36, Jan2N3, Jan2N, Jan2, JAN