IXFT86N30T

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-268-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

300 V

Id - 连续漏极电流：

86 A

Rds On - 漏源电阻：

43 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

180 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

830 W

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

高度：

5.1 mm

长度：

16.05 mm

系列：

IXFT86N30

类型：

沟槽 HiperFET 功率 MOSFET

宽度：

14 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

70 S

秋季时间：

54 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

18 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

54 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

单位重量：

0.158733 oz

Tags

IXFT8, IXFT, IXF