QS8M12TCR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSMT-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

42 mOhms

配置：

双重的

打包：

卷轴

系列：

QS8M12

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

QS8M12

Tags

QS8M1, QS8M, QS8