NTD4909N-35G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

12.1 A

Rds On - 漏源电阻：

8 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

17.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

2.6 W

配置：

单身的

系列：

NTD4909N

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

2.3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

19 ns

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

21 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD4909, NTD490, NTD49, NTD4, NTD