MGSF2N02ELT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

2.8 A

Rds On - 漏源电阻：

85 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

3.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.94 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

MGSF2N02EL

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

1.3 mm

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

125 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

95 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

28 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

MGSF2N02ELT1G, MGSF2N02ELT1, MGSF2N02ELT, MGSF2N02E, MGSF2N, MGSF2, MGSF, MGS